Ipofosfito di alluminio di grado elettronico

L'ipofosfito di alluminio di grado elettronico sviluppato e prodotto da Taixing adotta in modo innovativo la tecnologia di base della purificazione delle materie prime di grado elettronico e della modifica della classificazione di precisione. Come matrice utilizza Al (H ₂ PO ₂) I3 ad alta purezza, con una purezza superiore al 99,8% e un contenuto di fosforo ≥ 42,5%. Combina un efficiente ritardante di fiamma ed eccellenti prestazioni elettriche. Con solo l'aggiunta del 6% -10%, può ottenere un ritardante di fiamma UL 94 V-0 di 1,6 mm di spessore, risolvendo completamente i problemi del settore dei ritardanti di fiamma tradizionali che "contaminano i substrati, interferiscono con le prestazioni elettriche e non sono in grado di soddisfare la conformità di livello elettronico". Fornisce una soluzione di materiale di base sicura e conforme per la produzione elettronica di fascia alta.

Punti di forza fondamentali

1. Purezza ultra elevata e basse impurità, adatte a severi requisiti di qualità elettronica

-Il processo di purificazione finale garantisce la purezza: utilizzando una combinazione di processo di "ricristallizzazione multistadio+filtrazione di precisione+degasaggio sotto vuoto", la purezza del prodotto è ≥ 99,8%, molto superiore allo standard industriale del 99%, rimuovendo efficacemente impurità nocive come ioni cloruro (≤ 0,001%) e solfati (≤ 0,002%), evitando la migrazione delle impurità che potrebbe causare cortocircuiti dei componenti elettronici o degrado delle prestazioni.

-Residuo di metalli pesanti ultra basso: attraverso il rilevamento ICP-MS, il contenuto totale di metalli pesanti come piombo, mercurio, cadmio, ecc. è ≤ 0,5 ppm, molto al di sotto dei requisiti limite RoHS 2.0. Non sono presenti residui di ftalati (DEHP/BBP, ecc.), soddisfacendo pienamente gli standard di "basso inquinamento, elevata pulizia" per i materiali di grado elettronico.

-L'alto contenuto di fosforo garantisce un efficiente ritardo di fiamma: con un contenuto di fosforo ≥ 42,5%, l'efficienza di ritardo di fiamma è aumentata del 40% rispetto al normale ipofosfito di alluminio. Dopo la combinazione con agenti sinergici come MCA e APP, l'aggiunta dell'8% al substrato del PCB può raggiungere un livello di ritardo di fiamma V-0 senza influenzare le proprietà dielettriche del substrato.

2. Le eccellenti prestazioni elettriche garantiscono il funzionamento stabile dei dispositivi elettronici

-Bassa perdita dielettrica ed elevato isolamento: costante dielettrica (1 MHz) ≤ 3,8, fattore di perdita dielettrica ≤ 0,005, resistività di volume ≥ 10 ¹⁴Ω· cm. L'aggiunta non modifica in modo significativo le proprietà elettriche del substrato, garantendo la stabilità della trasmissione del segnale dell'imballaggio dei semiconduttori e delle apparecchiature di comunicazione ad alta frequenza.

-Eccezionali caratteristiche anti migrazione ionica: dopo essere stato collocato in un ambiente umido e caldo con 85 ℃/85% RH per 1000 ore, non si verifica alcun fenomeno evidente di migrazione ionica, evitando che i componenti elettronici subiscano un "errore di migrazione elettrica" ​​e soddisfacendo i requisiti di servizio a lungo termine di batterie con nuova energia, elettronica automobilistica e altri dispositivi.

-Buona non corrosività e compatibilità: il valore del pH è stabile a 3,5-4,5 e non ha effetto corrosivo sui contatti metallici e sui circuiti stampati. Ha un'eccellente compatibilità con substrati di grado elettronico come resina epossidica, PA, PBT, ecc. e non provoca degradazione del substrato o deterioramento delle prestazioni.

Scenari applicativi

Settore dei semiconduttori e dell'imballaggio elettronico

-Applicazioni: materiali per l'imballaggio di chip semiconduttori, adesivi per componenti elettronici, alloggiamenti per circuiti integrati

-Come riempitivo a basso dielettrico per sostituire alcune micropolveri di silicio, la quantità aggiunta è del 15-30%. Pur mantenendo la fluidità, riduce la costante dielettrica di 0,2-0,3 e migliora il ritardo di fiamma fino a UL94 V-0. Viene utilizzato per l'imballaggio di CPU, GPU e chip di archiviazione.

Campo del circuito stampato (PCB).

-Applicazioni: materiali di substrato per PCB, laminati rivestiti in rame ignifughi, involucri di circuiti stampati

-Laminato rivestito di rame (CCL) a bassa perdita: composito con resine ad alta frequenza come PTFE, PPO, estere di cianato, ecc., con un'aggiunta di E-AHP100 del 20-40%, raggiungendo Dk 3,2-3,8 e Df <0,005, soddisfacendo i requisiti delle schede per antenne a onde millimetriche 5G e dei tabelloni per server ad alta velocità.

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